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月度歸檔 10月 2022

變頻器IGBT工作原理和檢測(cè)方法

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達(dá)林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),具備易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點(diǎn),已逐步取代晶閘管和GTO(門極可關(guān)斷晶閘管),是目前發(fā)展最為迅速的新一代電力電子器件,也是變頻器的重要元件之一。

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變頻器驅(qū)動(dòng)電路原理和檢查維修案例

一臺(tái)阿爾法變頻器,畫出U相上下臂IGBT的驅(qū)動(dòng)電路圖,可以看到,每相下臂IGBT的驅(qū)動(dòng)電路共用D51、E32直流電源。驅(qū)動(dòng)供電也由穩(wěn)壓電路分為+15V和-7.2V兩路電源,以形成對(duì)IGBT供電的+15V激勵(lì)電壓回路和-7.2V的截止電壓回路。驅(qū)動(dòng)IC(A316J)的左側(cè)引腳為輸入側(cè)電路,右側(cè)引腳為輸出側(cè)電路。無(wú)論是脈沖信號(hào)還是OC故障信號(hào),都由內(nèi)部光耦合器電路相隔離。由PC929相比,因內(nèi)部已有對(duì)OC信號(hào)的隔離,可省去外接光耦合器,并且脈沖信號(hào)、OC信號(hào)和故障復(fù)位信號(hào)可經(jīng)控制端子CNN1直接與CPU脈沖輸出引腳相連。在有的變頻器電路中,僅是下三臂IGBT驅(qū)動(dòng)電路采用A316J,上三管采用TLP250等。

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